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聚焦!SGT工藝N60V MOSFET新品,點(diǎn)亮清潔能源新效能
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新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1.產(chǎn)品采用優(yōu)化的SGT工藝, 產(chǎn)品內(nèi)阻低,開關(guān)特性優(yōu);
2.產(chǎn)品采用TOLL、TO-263、TO-220等封裝,適用于BMS等大功率應(yīng)用;
3.針對工控應(yīng)用的各種工作狀態(tài), 優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力,提高產(chǎn)品的可靠性。
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YJB2D3G06H YJT2D0G06H

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